JAN1N5809URS - DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-JAN1N5809URS
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
33621 Pieces
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Spécifications pour JAN1N5809URS
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
JAN1N5809URS
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Séries :
Military, MIL-PRF-19500/477
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
3A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
875mV @ 4A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 100V
Capacité @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SQ-MELF, B
Package d'appareils du fournisseur :
B, SQ-MELF
Température de fonctionnement - Jonction :
-65°C ~ 175°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour JAN1N5809URS
Feuilles de données :
JAN1N5809URS.pdf
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 10000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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