RGT8NS65DGTL - IGBT 650V 8A 65W TO-263S

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Fabricant
Brève description
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RGT8NS65DGTL

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RGT8NS65DGTL
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : IGBT 650V 8A 65W TO-263S
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 8A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 4A
Puissance - Max : 65W
Énergie de commutation : -
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 13.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 17ns/69ns
Condition de test : 400V, 4A, 50 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : 40ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : LPDS (TO-263S)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RGT8 , RGT8NS

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Feuilles de données : RGT8NS65DGTL.pdf

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