MBR20035CTR - DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-MBR20035CTR
Fabricant
Brève description
DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour MBR20035CTR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MBR20035CTR
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 1 Pair Common Anode
Type de diode : Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 35V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 200A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 650mV @ 100A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5mA @ 20V
Température de fonctionnement - Jonction : -
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Twin Tower
Package d'appareils du fournisseur : Twin Tower
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MBR20035CTR
Feuilles de données : MBR20035CTR.pdf
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