FDH633605 - MOSFET N-CH DO-35

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MOSFET N-CH DO-35
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDH633605

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDH633605
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH DO-35
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : DO-35
Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial
Poids : -
État : Nouveau et original
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