DF200R12PT4B6BOSA1 - IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DF200R12PT4B6BOSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DF200R12PT4B6BOSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Configuration : Three Phase Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 300A
Puissance - Max : 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 15µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 12.5nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DF200R , DF200R12P

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Feuilles de données : DF200R12PT4B6BOSA1.pdf

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