FDG6335N - MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363

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MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
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Spécifications pour FDG6335N

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDG6335N
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 113pF @ 10V
Puissance - Max : 300mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SC-88 (SC-70-6)
Poids : -
État : Nouveau et original
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