FDP4D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDP4D5N10C
Fabricant
Brève description
FET ENGR DEV-NOT REL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
129545 Pieces
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Spécifications pour FDP4D5N10C
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDP4D5N10C
Fabricant : ON Semiconductor
La description : FET ENGR DEV-NOT REL
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 128A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5065pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDP4D5N10C
Feuilles de données : FDP4D5N10C.pdf
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