EFC6602R-A-TR - MOSFET 2N-CH EFCP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH EFCP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
28462 Pieces
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Spécifications pour EFC6602R-A-TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EFC6602R-A-TR
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH EFCP
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) :
-
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Puissance - Max :
2W
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-XFBGA, FCBGA
Package d'appareils du fournisseur :
EFCP2718-6CE-020
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EFC6602R-A-TR
Feuilles de données :
EFC6602R-A-TR.pdf
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