2N7002ET7G - NFET SOT23 60V 115MA 7MO

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NFET SOT23 60V 115MA 7MO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2N7002ET7G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N7002ET7G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : NFET SOT23 60V 115MA 7MO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.81nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300mW (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2N7 , 2N700

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Feuilles de données : 2N7002ET7G.pdf

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