DMTH4007SPDQ-13 - MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

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MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
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Spécifications pour DMTH4007SPDQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMTH4007SPDQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 14.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2026pF @ 30V
Puissance - Max : 2.6W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMTH4 , DMTH400

Documents pour DMTH4007SPDQ-13

Feuilles de données : DMTH4007SPDQ-13.pdf

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