PHK04P02T,518 - MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
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Spécifications pour PHK04P02T,518

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHK04P02T,518
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 16V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 600mV @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 528pF @ 12.8V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PHK0 , PHK04P

Documents pour PHK04P02T,518

Feuilles de données : PHK04P02T,518.pdf

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