M393B1G73EB0-CMA - DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
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Brève description
DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour M393B1G73EB0-CMA
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
M393B1G73EB0-CMA
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
DDR3 RDIMM 8 GB 2R x 8 1866 Mbps 1.5 V / 1.35 V 240 (512M x 8) x 18 Mass Production
Séries :
DDR3
DDR :
DDR3
type de Dimm :
RDIMM
Densité :
8 GB
Rang x Org. :
2R x 8
La vitesse :
1866 Mbps
Tension :
1.5 V / 1.35 V
Nombre de broches :
240
Composition des composants :
(512M x 8) x 18
État du produit :
Mass Production
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour M393B1G73EB0-CMA
Feuilles de données :
M393B1G73EB0-CMA.pdf
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