RUE002N02TL - MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

Référence fabricant

RUE002N02TL

Numéro de pièce interne

AX-RUE002N02TL

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour RUE002N02TL

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RUE002N02TL

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

Séries : -

Statut de la pièce : Not For New Designs

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 25pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 150mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : EMT3

Paquet / caisse : SC-75, SOT-416

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RUE , RUE00

Documents pour RUE002N02TL

Feuilles de données : RUE002N02TL.pdf

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