MRFE8VP8600HSR5 - BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS

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BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MRFE8VP8600HSR5

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MRFE8VP8600HSR5
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 860MHz
Gain : 21dB
Tension - Test : 50V
Note actuelle : 20µA
Figure de bruit : -
Courant - Test : 1.4A
Puissance - sortie : 140W
Tension - nominale : 115V
Paquet / caisse : NI-1230S-4S
Package d'appareils du fournisseur : NI-1230S-4S
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MRFE8 , MRFE8VP

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Feuilles de données : MRFE8VP8600HSR5.pdf

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Numéro d'article Marque La description Acheter

C0805C154KMREC

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WF165270WJ75238BJ1

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WI140316WQ75236BJ2

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WI140266WQ75236BJ2

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WF095187WJ10238BH1

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GRM0335C1H5R9DD01D

Murata Electronics North America

CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.

WZ125178BH30236BJ1

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WI140266WJ10338BJ1

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12065C223KHT1A

AVX Corporation

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