MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E - IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Référence fabricant

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Numéro de pièce interne

AX-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Taille mémoire : 64Gb (1G x 64)

Fréquence d'horloge : 2133MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : -

Tension - Alimentation : 1.1V

Température de fonctionnement : -30°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT53D1G6 , MT53D1G64D8N

Documents pour MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Feuilles de données : MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
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WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF135373BQ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV SCREW.