FDD5612 - MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDD5612
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDD5612
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDD5612
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDD5612
Feuilles de données : FDD5612.pdf
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