C2M0280120D - MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

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MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
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Spécifications pour C2M0280120D

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : C2M0280120D
Fabricant : Cree/Wolfspeed
La description : MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
Séries : Z-FET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20.4nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 259pF @ 1000V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : C2M , C2M02

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Feuilles de données : C2M0280120D.pdf

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