CXDM1002N TR - MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89

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MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
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Spécifications pour CXDM1002N TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CXDM1002N TR
Fabricant : Central Semiconductor Corp
La description : MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 5V
Vgs (Max) : 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.2W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-89
Paquet / caisse : TO-243AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : CXDM , CXDM10

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Feuilles de données : CXDM1002N TR.pdf

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