GA100JT12-227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Référence fabricant

GA100JT12-227

Numéro de pièce interne

AX-GA100JT12-227

Fabricant

GeneSiC Semiconductor

Brève description

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour GA100JT12-227

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : GA100JT12-227

Fabricant : GeneSiC Semiconductor

La description : TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : -

La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain à la tension source (Vdss) : 1200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 160A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 800V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 535W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Chassis Mount

Package d'appareils du fournisseur : SOT-227

Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : GA10 , GA100J

Documents pour GA100JT12-227

Feuilles de données : GA100JT12-227.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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