AS4C256M8D3A-12BIN - IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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73325 Pieces
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Spécifications pour AS4C256M8D3A-12BIN
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C256M8D3A-12BIN
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR3
Taille mémoire :
2Gb (256M x 8)
Fréquence d'horloge :
800MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
20ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
78-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
78-FBGA (8x10.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C256M8D3A-12BIN
Feuilles de données :
AS4C256M8D3A-12BIN.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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