IPP65R110CFDAAKSA1 - MOSFET N-CH 650V TO-220-3

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MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPP65R110CFDAAKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPP65R110CFDAAKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Séries : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 118nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 277.8W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPP65R , IPP65R110

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Feuilles de données : IPP65R110CFDAAKSA1.pdf

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