IXFQ60N60X - MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Référence fabricant

IXFQ60N60X

Numéro de pièce interne

AX-IXFQ60N60X

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXFQ60N60X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFQ60N60X

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 143nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 890W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFQ6

Documents pour IXFQ60N60X

Feuilles de données : IXFQ60N60X.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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