SPP08N50C3XKSA1 - MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
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MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SPP08N50C3XKSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SPP08N50C3XKSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
Séries :
CoolMOS™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
560V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
7.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 350µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
83W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO220-3-1
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SPP08N50C3XKSA1
Feuilles de données :
SPP08N50C3XKSA1.pdf
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CAP CER 2200PF 14KV. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 32KV R85. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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