DMN3190LDW-13 - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN3190LDW-13
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN3190LDW-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
87pF @ 20V
Puissance - Max :
320mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN3190LDW-13
Feuilles de données :
DMN3190LDW-13.pdf
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