EPC2110ENGRT - GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2110ENGRT
Fabricant
Brève description
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
457535 Pieces
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Spécifications pour EPC2110ENGRT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2110ENGRT
Fabricant : EPC
La description : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 700µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 60V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour EPC2110ENGRT
Feuilles de données : EPC2110ENGRT.pdf
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