1N8031-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Référence fabricant
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DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N8031-GA

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N8031-GA
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.5V @ 1A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-276AA
Package d'appareils du fournisseur : TO-276
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 250°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 1N8 , 1N80

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