DMN1017UCP3-7 - MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

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MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
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Spécifications pour DMN1017UCP3-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN1017UCP3-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 3.3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 3.3V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1503pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.47W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : X3-DSN1010-3
Paquet / caisse : 3-XDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN1 , DMN101

Documents pour DMN1017UCP3-7

Feuilles de données : DMN1017UCP3-7.pdf

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