ESH2B-M3/5BT - DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ESH2B-M3/5BT
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ESH2B-M3/5BT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ESH2B-M3/5BT
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 2A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 930mV @ 2A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 2µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-214AA, SMB
Package d'appareils du fournisseur : DO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour ESH2B-M3/5BT
Feuilles de données : ESH2B-M3/5BT.pdf
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