BSP110,115 - MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223

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MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
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Spécifications pour BSP110,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSP110,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 520mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SC-73
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSP , BSP11

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