W979H2KBVX2E - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-W979H2KBVX2E
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour W979H2KBVX2E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W979H2KBVX2E
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire : 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 134-VFBGA (10x11.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W979H2KBVX2E
Feuilles de données : W979H2KBVX2E.pdf
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