MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR - IC DRAM 32G 1866MHZ

Référence fabricant

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Numéro de pièce interne

AX-MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 32G 1866MHZ

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 32G 1866MHZ

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Taille mémoire : 32Gb (512M x 64)

Fréquence d'horloge : 1866MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : -

Tension - Alimentation : 1.1V

Température de fonctionnement : -30°C ~ 85°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT53B512M , MT53B512M64D8

Documents pour MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Feuilles de données : MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR.pdf

Produits associés pour MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
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WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
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