STB11NM60T4 - MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

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MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
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Spécifications pour STB11NM60T4

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STB11NM60T4
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Séries : MDmesh™
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 160W (Tc)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : STB , STB11

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