IPI80P03P405AKSA1 - MOSFET P-CH TO262-3
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Brève description
MOSFET P-CH TO262-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPI80P03P405AKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPI80P03P405AKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH TO262-3
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 253µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 137W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO262-3-1
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPI80P03P405AKSA1
Feuilles de données : IPI80P03P405AKSA1.pdf
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