RJK6014DPK-00#T0 - MOSFET N-CH 600V 11A TO220
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MOSFET N-CH 600V 11A TO220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RJK6014DPK-00#T0
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RJK6014DPK-00#T0
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 575 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RJK6014DPK-00#T0
Feuilles de données : RJK6014DPK-00#T0.pdf
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