VMO580-02F - MOSFET N-CH 200V 580A MODULE

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MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
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Spécifications pour VMO580-02F

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VMO580-02F
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 580A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 430A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2750nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : Y3-Li
Paquet / caisse : Y3-Li
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : VMO , VMO58

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Feuilles de données : VMO580-02F.pdf

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