RW1C026ZPT2CR - MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
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MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RW1C026ZPT2CR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RW1C026ZPT2CR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WEMT
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RW1C026ZPT2CR
Feuilles de données : RW1C026ZPT2CR.pdf
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