PD20010-E - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PD20010-E
Fabricant
Brève description
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour PD20010-E
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PD20010-E
Fabricant : STMicroelectronics
La description : TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS
La fréquence : 2GHz
Gain : 11dB
Tension - Test : 13.6V
Note actuelle : 5A
Figure de bruit : -
Courant - Test : 150mA
Puissance - sortie : 10W
Tension - nominale : 40V
Paquet / caisse : PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Package d'appareils du fournisseur : PowerSO-10RF (Formed Lead)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PD20010-E
Feuilles de données : PD20010-E.pdf
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