TK13E25D,S1X(S - MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK13E25D,S1X(S

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK13E25D,S1X(S
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 102W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK13 , TK13E25

Documents pour TK13E25D,S1X(S

Feuilles de données : TK13E25D,S1X(S.pdf

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