NVMFS5A160PLZT1G - -60V7.7MOHMSINGLE
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-60V7.7MOHMSINGLE
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFS5A160PLZT1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMFS5A160PLZT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : -60V7.7MOHMSINGLE
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7700pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NVMFS5A160PLZT1G
Feuilles de données : NVMFS5A160PLZT1G.pdf
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