RQK0607AQDQS#H1 - MOSFET N-CH
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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21760 Pieces
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Spécifications pour RQK0607AQDQS#H1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RQK0607AQDQS#H1
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET N-CH
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
UPAK
Paquet / caisse :
TO-243AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RQK0607AQDQS#H1
Feuilles de données :
RQK0607AQDQS#H1.pdf
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