IPU80R4K5P7AKMA1 - MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
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MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPU80R4K5P7AKMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPU80R4K5P7AKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 800V 1.5A IPAK
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 500V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 13W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPU80R4K5P7AKMA1
Feuilles de données : IPU80R4K5P7AKMA1.pdf
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