DMPH6050SFGQ-13 - MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
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MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMPH6050SFGQ-13
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMPH6050SFGQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1293pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.2W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMPH6050SFGQ-13
Feuilles de données : DMPH6050SFGQ-13.pdf
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