IXFP5N100PM - MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXFP5N100PM
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour IXFP5N100PM
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXFP5N100PM
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
Séries :
HiPerFET™, PolarP2™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
33.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1830pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
42W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220 Isolated Tab
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXFP5N100PM
Feuilles de données :
IXFP5N100PM.pdf
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