GA05JT12-247 - TRANS SJT 1200V 5A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-GA05JT12-247
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 1200V 5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
66935 Pieces
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Spécifications pour GA05JT12-247
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
GA05JT12-247
Fabricant :
GeneSiC Semiconductor
La description :
TRANS SJT 1200V 5A
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
-
La technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
106W (Tc)
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247AB
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour GA05JT12-247
Feuilles de données :
GA05JT12-247.pdf
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