SSM6K217FE,LF - MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Référence fabricant

SSM6K217FE,LF

Numéro de pièce interne

AX-SSM6K217FE,LF

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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4723300 Pieces

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Spécifications pour SSM6K217FE,LF

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SSM6K217FE,LF

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

Séries : U-MOSVII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 1A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.2V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : ES6

Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SSM6 , SSM6K2

Documents pour SSM6K217FE,LF

Feuilles de données : SSM6K217FE,LF.pdf

Produits associés pour SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
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WF135265BH88236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8800PF 10KV SCREW.
CDR33BP302AJWSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3000PF 50V BP 1210.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WF095220WF50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.