GA10JT12-247 - TRANS SJT 1.2KV 10A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-GA10JT12-247
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 1.2KV 10A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GA10JT12-247
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GA10JT12-247
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANS SJT 1.2KV 10A
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : -
La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 170W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247AB
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GA10JT12-247
Feuilles de données : GA10JT12-247.pdf
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