IRF630NS - MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF630NS
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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62875 Pieces
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Spécifications pour IRF630NS
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF630NS
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
575pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
82W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D2PAK
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF630NS
Feuilles de données :
IRF630NS.pdf
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