SSM6N56FE,LM - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

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MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
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Spécifications pour SSM6N56FE,LM

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SSM6N56FE,LM
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 1.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 55pF @ 10V
Puissance - Max : 150mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : ES6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SSM6 , SSM6N5

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Feuilles de données : SSM6N56FE,LM.pdf

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