SCT2120AFC - MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

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MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
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Spécifications pour SCT2120AFC

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SCT2120AFC
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 10A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 3.3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 18V
Vgs (Max) : +22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 500V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 165W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
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