APTSM120AM25CT3AG - POWER MODULE - SIC

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Numéro de pièce interne
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POWER MODULE - SIC
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTSM120AM25CT3AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTSM120AM25CT3AG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER MODULE - SIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 148A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 544nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 1000V
Puissance - Max : 937W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP3
Package d'appareils du fournisseur : SP3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : APTSM , APTSM120

Documents pour APTSM120AM25CT3AG

Feuilles de données : APTSM120AM25CT3AG.pdf

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